El GT80J101A es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N, fabricado por Toshiba. Es un componente de alta potencia diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación rápida y eficiente en entornos industriales.
- Voltaje Máximo Colector-Emisor: 600V
- Corriente de Colector Continua: 80A
- Corriente de Colector Pico: 160A
- Voltaje de Saturación: 3.0V a 80A
- Disipación de Potencia: 200W
- Encapsulado: TO-3P(LH) o TO-3PL (según variante), un formato grande con terminales de orificio pasante para mejorar la gestión térmica.
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