El GT60M303 es un transistor IGBT de canal N de alta potencia, fabricado originalmente por Toshiba. Es muy conocido por ser un componente crítico en la reparación de estufas de inducción y sistemas de calentamiento de alta eficiencia.
- Voltaje Colector-Emisor: 900V
- Corriente de Colector: 60V
- Voltaje de Saturación: 2.3V
- Diodo Integrado: Incluye un diodo de libre circulación (FRD) de recuperación rápida para protegerlo de voltajes inversos.
- Encapsulado: TO-3P(LH) (también conocido como TO-264), un formato grande diseñado para una excelente disipación de calor.
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