El GT30F124 es un transistor de tipo IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta potencia fabricado principalmente por Toshiba. Combina la alta impedancia de entrada de un MOSFET con la baja caída de tensión en conducción de un transistor bipolar.
- Voltaje Colector-Emisor: 300 V.
- Corriente de Colector: 200 A (pico/pulso) o 30 A (continua) según el fabricante.
- Disipación de Potencia: 25 W a 48 W dependiendo del encapsulado y el disipador.
- Encapsulado: Comúnmente en TO-220 o TO-220F (aislado).
- Velocidad de Conmutación: Alta velocidad (típico de 0.05 µs), lo que reduce las pérdidas por conmutación.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.