El GN1L3N es un transistor bipolar de unión de tipo Positivo-Negativo-Positivo fabricado en silicio que incorpora resistencias internas, lo que lo clasifica como un transistor con resistencia incorporada o transistor digital.
- Configuración: Transistor con una resistencia de base y una resistencia entre la base y el emisor integradas.
- Valores de resistencia interna:
- Resistencia de serie en la base: 4.7 Kiloohmios.
- Resistencia entre base y emisor: 10 Kiloohmios.
- Voltaje máximo entre Colector y Emisor: Soporta hasta 50 Voltios.
- Voltaje máximo entre Colector y Base: Soporta hasta 60 Voltios.
- Corriente máxima de Colector: Puede manejar una corriente continua de hasta 100 Miliamperios.
- Disipación de potencia total: Capaz de liberar hasta 150 Milivatios de calor.
- Tipo de montaje: Diseñado para montaje superficial (encapsulado estándar SOT-23).
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