El transistor MOSFET FX6KMJ-2 es un componente de potencia de canal P diseñado para conmutación de alta velocidad, con una tensión de drenaje a fuente de -100 V y una corriente de drenaje continua de -6 A.
| Polaridad del Transistor | Canal P | |
| Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) | -100 V | |
| Corriente Continua de Drenaje (Id) | -6 A | |
| Resistencia de Encendido Máxima (Rds(on)) | ≤ 0.21 Ω (a Vgs=-10V, Id=-3A) | |
| Encapsulado | TO-220FN o TO-220F (Full-Pack, aislado) | |
| Tiempo de Recuperación Inversa del Diodo (trr) | Típicamente 95 ns | |
| Disipación de Potencia Máxima (Pd) | 20 W |
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