$ 15.000
12 disponibles
El FS10VSJ-2 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja tensión de control.
Voltaje Drenaje-Fuente: 100V
Corriente de Drenaje Continua: 10A
Resistencia en estado encendido: Máximo de 0.19 Ohm (190 m Ohm)
Voltaje de Umbral de Compuerta: 2.0V y 4.0V
Disipación de Potencia Máxima: 30W
Tiempo de Recuperación Inversa: 95 ns
12 disponibles
El FS10VSJ-2 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja tensión de control.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 100V |
|---|---|
| Resistencia en estado encendido | Máximo de 0.19 Ohm (190 m Ohm). |
| Corriente de Drenaje Continua | 10A |
| Voltaje de Umbral de Compuerta | 2.0V y 4.0V |
| Disipación de Potencia Máxima | 30W |
| Tiempo de Recuperación Inversa | 95 ns |
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