El FQT7N10LTF es un MOSFET de potencia de canal N fabricado por Onsemi (anteriormente Fairchild Semiconductor), diseñado para aplicaciones de conmutación electrónica. Se caracteriza por un voltaje drenaje-fuente de 100V y una corriente continua de drenaje de 1.7A.
FQT7N10LTF Transistor Mosfet De Potencia
$ 5.700
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Datasheet
Descripción
El FQT7N10LTF es un MOSFET de potencia de canal N fabricado por Onsemi (anteriormente Fairchild Semiconductor), diseñado para aplicaciones de conmutación electrónica. Se caracteriza por un voltaje drenaje-fuente de 100V y una corriente continua de drenaje de 1.7A.
Este transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de montaje superficial presenta las siguientes características principales, según las hojas de datos del fabricante.
| Tipo de Canal | N | |
| Voltaje Drenaje-Fuente (Vds) | 100 V | |
| Corriente Drenaje Continua (Id) | 1.7 A | |
| Disipación de Potencia (Pd) | 2 W | |
| Resistencia Drenaje-Fuente (Rds(on)) | 0.35 ohmios (350 mΩ) | |
| Encapsulado | SOT-223 (Montaje Superficial) | |
| Temperatura de Funcionamiento Máx. | 150 °C |
Información adicional
| Tipo de Canal | N |
|---|---|
| Voltaje Drenaje-Fuente (Vds) | 100 V |
| Corriente Drenaje Continua (Id) | 1.7 A |
| Resistencia Drenaje-Fuente (Rds(on)) | 0.35 ohmios (350 mΩ) |
| Encapsulado | SOT-223 (Montaje Superficial) |
| Temperatura de Funcionamiento Máx. | 150 °C |
| Disipación de Potencia (Pd) | 2 W |
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