El FMW20N60S1HF es un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) de potencia de canal N de la serie Super J-MOS de Fuji Electric, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y bajo ruido en sistemas de alto voltaje.
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 600 V | |
| Corriente de Drenaje Continua (ID) | 20 A (a Tc=25°C) | |
| Disipación de Potencia Máxima (PD) | 140 W (a Tc=25°C) | |
| Resistencia en Estado Activo (RDS(ON)) | Típ. 0.161 Ω (máx. 0.19 Ω) | |
| Voltaje Umbral de Puerta (Vgs(th)) | Típ. 3.0 V (mín. 2.5 V, máx. 3.5 V) | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tecnología | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET (Super J-MOS) |
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