FMP30N60S1 Transistor Mosfet

$ 12.500

10 disponibles

El FMP30N60S1 es un transistor de potencia MOSFET de canal N de la serie Super J-MOS fabricado por Fuji Electric. Este componente está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia debido a su baja resistencia en estado activo y reducidas pérdidas.

Voltaje Drenaje-Fuente:600 V
Corriente de Drenaje Continua:30 A 
Resistencia en Encendido: Típica de 0.11 

Carga de Puerta:96 nC

Disipación de Potencia:219 W

10 disponibles

SKU: 31002 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El FMP30N60S1 es un transistor de potencia MOSFET de canal N de la serie Super J-MOS fabricado por Fuji Electric. Este componente está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia debido a su baja resistencia en estado activo y reducidas pérdidas.

Este MOSFET es ideal para sistemas que requieren alta potencia y conmutación rápida:
  • Fuentes de alimentación (SMPS): Utilizado en convertidores DC-DC y etapas de potencia.
  • Sistemas de Telecomunicaciones: Fuentes de poder para equipos de red.
  • Energías Renovables: Sistemas acondicionadores de potencia e inversores solares.
  • Sistemas UPS: Fuentes de alimentación ininterrumpida y cargadores industriales

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

600V

Corriente de Drenaje Continua

30 A

Resistencia en Encendido

Típica de 0.11

Carga de Puerta

96 nC

Disipación de Potencia

219 W

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