El FK18SM-12 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, este componente destaca por su robustez en entornos industriales.
- Voltaje Drenaje-Fuente : 600V.
- Corriente de Drenaje Continua : 18A.
- Resistencia en Conducción : Máximo de 0.54 Ω.
- Disipación de Potencia Máxima : Hasta 275W a 25°C.
- Encapsulado: TO-3P (también referido como TO-247 en algunas variantes de montaje), que permite una excelente gestión térmica.
- Diodo Integrado: Incluye un diodo de recuperación rápida con un tiempo máximo de recuperación de 150ns.
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