El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto rendimiento. Utiliza tecnología de «Field Stop» para ofrecer bajas pérdidas de conducción y conmutación, siendo ideal para aplicaciones de electrónica de potencia de alta eficiencia.
- Voltaje Colector-Emisor: 600V
- Corriente de Colector :120A a 25°C – 600A a 100°C
- Voltaje de Saturación : 1.9V a 60A
- Disipación de Potencia Máxima: 600W a 25°C
- Temperatura de Unión Operativa: -55°C a 175°C
- Encapsulado: TO-247 (montaje por orificio pasante)
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