El FDS5670 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento.
Está diseñado específicamente para maximizar la eficiencia en convertidores DC-DC, gracias a su tecnología PowerTrench que ofrece una resistencia de encendido extremadamente baja y una carga de puerta reducida.
Especificaciones Técnicas Clave
- Voltaje Drenaje-Fuente: 60 V.
- Corriente de Drenaje Continua: 10 A (a 25°C).
- Resistencia en Encendido:
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- 14 mΩ (0.014 Ω) con un voltaje de puerta de 10 V.
- 17 mΩ (0.017 Ω) de 6 V.
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- Voltaje Umbral de Puerta: Entre 2 V y 4 V
- Encapsulado: SO-8 (8 pines, montaje superficial).
- Disipación de Potencia: 2.5 W
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