El FDP047AN08A0 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, fabricado originalmente por Fairchild Semiconductor (ahora parte de onsemi). Utiliza la tecnología PowerTrench para lograr una resistencia en estado encendido extremadamente baja y una conmutación rápida.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 75 V.
- Corriente Continua de Drenaje: Hasta 80 A (limitada por el encapsulado en ciertas condiciones térmicas).
- Resistencia en estado encendido: Típicamente 4.0 mΩ (máximo 4.7 mΩ) = 10V.
- Disipación de Potencia : Máxima de 310 W a una temperatura de carcasa de 25°C.
- Carga de Puerta : Típicamente 92 nC, lo que facilita una conmutación eficiente.
- Encapsulado: TO-220-3, estándar para montaje a través de orificio (THT).
Valoraciones
No hay valoraciones aún.