$ 8.500
28 disponibles
El FDN5630 es un transistor MOSFET de canal N de alto rendimiento, diseñado específicamente para mejorar la eficiencia en convertidores DC-DC y aplicaciones de control de motores.
Polaridad: Canal N
Voltaje Drenaje-Fuente: 60V
Corriente de Drenaje Continua: 25°C
Resistencia en estado encendido: Típicamente 73 Ohm
Voltaje de Umbral de Compuerta: Máximo de 2.4V a 3.0V
Disipación de Potencia: 500 mW
Carga de Compuerta:típicamente 7 nC
28 disponibles
El FDN5630 es un transistor MOSFET de canal N de alto rendimiento, diseñado específicamente para mejorar la eficiencia en convertidores DC-DC y aplicaciones de control de motores.
| Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje Drenaje-Fuente | 60V |
| Corriente de Drenaje Continua | 25°C |
| Resistencia en estado encendido | Típicamente 73 Ohm |
| Voltaje de Umbral de Compuerta | Máximo de 2.4V a 3.0V |
| Disipación de Potencia | 500 mW |
| Carga de Compuerta | típicamente 7 nC |
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