El FDN5618P es un transistor MOSFET de potencia de canal P de nivel lógico,Utiliza la tecnología PowerTrench® para ofrecer una resistencia en conducción extremadamente baja y una conmutación rápida, lo que lo hace ideal para la gestión de energía en dispositivos compactos.
| Voltaje Drenaje-Fuente | -60 V |
| Corriente de Drenaje Continua | -1.25 A |
| Resistencia en Conducción | 170 m Ohm |
| Voltaje de Umbral de Puerta | -1.0 V a -3.0 V |
| Disipación de Potencia Máxima | 0.5 W (500 mW) |
| Carga de Puerta Total | 8.6 nC (típico) / 13.8 nC (máximo) |
| Encapsulado | SuperSOT™-3 (SOT-23-3) |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +150 °C |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.