El FDN359BN es un transistor MOSFET de canal N de nivel lógico fabricado originalmente por Fairchild Semiconductor y actualmente por onsemi. Utiliza la tecnología patentada PowerTrench para minimizar la resistencia en conducción R DS(on) y ofrecer una alta velocidad de conmutación.
📌 Especificaciones Clave:
- Tipo de canal: Canal N (N-Channel).
- Voltaje Drenaje-Fuente: 30 V máximos.
- Corriente Continua de Drenaje: 2.7 A (a una temperatura ambiente de 25°C).
- Voltaje Compuerta-Fuente: ± 20 V.
- Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W (500 mW).
- Encapsulado: SuperSOT™-3 (compatible en pines y dimensiones estándar con el formato SMD SOT-23).
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