El FDN359AN es un transistor de efecto de campo MOSFET de canal N de nivel lógico. Está desarrollado bajo la tecnología PowerTrench®, optimizada para minimizar la resistencia en conducción (RDS(on)) y mantener una conmutación veloz con bajas pérdidas de energía.
Especificaciones técnicas principales:
- Tipo de canal: Canal N (N-Channel) de tipo enriquecimiento.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 30 V.
- Corriente continua de drenaje: 2.7 A (a temperatura ambiente).
- Voltaje Compuerta-Fuente: ±20 V.
- Resistencia en estado activo :
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- 0.046 Ω (46 mΩ)
- 0.060 Ω (60 mΩ)
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- Voltaje de umbral de compuerta: Máximo de 1.6 V (lo que facilita su activación directa con microcontroladores de 3.3V o 5V).
- Carga de compuerta: Muy baja, típicamente de 5 nC, reduciendo pérdidas por conmutación.
- Disipación de potencia: 0.5 W (500 mW).
- Encapsulado: SuperSOT™-3 (idéntico en distribución de pines a un SOT-23 estándar de 3 pines, pero optimizado para disipar hasta un 30% más de potencia)
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