$ 8.500
6 disponibles
El FDD850N10L es un MOSFET de potencia de canal N fabricado por onsemi (anteriormente Fairchild Semiconductor). Utiliza la tecnología PowerTrench® para minimizar la resistencia en estado de conducción y ofrecer un rendimiento de conmutación superior en aplicaciones de baja y media tensión.
Voltaje Drenaje-Fuente: 100 V
Corriente de Drenaje Continua : 15.7 A
Resistencia en Encendido:75 m Típicamente es de 61m
Voltaje Umbral de Puerta:1.0 V a 2.5 V
Disipación de Potencia:50 W
Encapsulado:TO-252
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El FDD850N10L es un MOSFET de potencia de canal N fabricado por onsemi (anteriormente Fairchild Semiconductor). Utiliza la tecnología PowerTrench® para minimizar la resistencia en estado de conducción y ofrecer un rendimiento de conmutación superior en aplicaciones de baja y media tensión.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 100 V |
|---|---|
| Corriente de Drenaje Continua | 15.7 A |
| Resistencia en Encendido | 75 m Típicamente es de 61m |
| Voltaje Umbral de Puerta | 1.0 V a 2.5 V |
| Disipación de Potencia | 50 W. |
| Encapsulado | TO-252 |
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