El FDA28N50F es un transistor de potencia de tipo MOSFET de canal N . Utiliza tecnología DMOS de franja plana para ofrecer una baja resistencia en encendido y un rendimiento de conmutación superior en aplicaciones de alta potencia.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 500 V.
- Corriente de Drenaje Continua: 28 A (a).
- Resistencia en Encendido : Máximo de 175 m (0.175 ).
- Disipación de Potencia : Hasta 310 W.
- Encapsulado: TO-3PN (un paquete de 3 pines para montaje a través de orificio, ideal para disipación de calor).
- Características Especiales: Cuenta con un diodo de cuerpo con recuperación rápida (FRFET®), lo que mejora la fiabilidad en circuitos de conmutación de fase.
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