DMG2301U-7 Transistor Mosfet

$ 4.500

30 disponibles

El DMG2301U-7 es un transistor MOSFET de canal P de modo de enriquecimiento. Es un componente de montaje superficial (SMD) diseñado para aplicaciones que requieren conmutación rápida y alta eficiencia en un tamaño reducido.

  • Voltaje Drenaje-Fuente: -20 V.
  • Corriente de Drenaje Continua: -2.7 A (a 25 °C). 
  • Resistencia Máxima:
      • 80 mΩ cuando= -4.5\) V.
      • 110 mΩ cuando= -2.5\) V.

  • Encapsulado: SOT-23 (3 pines). 
  • Rango de Temperatura: –55 °C a +150 °C

30 disponibles

SKU: 80003 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El DMG2301U-7 es un transistor MOSFET de canal P de modo de enriquecimiento. Es un componente de montaje superficial (SMD) diseñado para aplicaciones que requieren conmutación rápida y alta eficiencia en un tamaño reducido.

Debido a sus características de baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación, se utiliza comúnmente en:
  • Gestión de Energía: Funciones de interruptor de carga (Load Switch) en dispositivos portátiles.
  • Convertidores DC-DC: Para mejorar la eficiencia en la conversión de voltaje.
  • Retroiluminación (Backlighting): En pantallas LCD y LED.
  • Control de Motores: Conducción de pequeñas cargas inductivas

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

-20 V

Corriente de Drenaje Continua

-2.7 A (a 25 °C)

Resistencia Máxima

80 mΩ cuando= -4.5\) V.
110 mΩ cuando= -2.5\) V.

Encapsulado

SOT-23 (3 pines)

Rango de Temperatura

–55 °C a +150 °C

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