El CRST045N10N es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia fabricado por CR Micro (China Resources Microelectronics), que utiliza la tecnología avanzada SkyMOS1. Es ampliamente utilizado en aplicaciones que requieren alta eficiencia y manejo de corrientes elevadas, como controladores de motores y sistemas de gestión de baterías.
- Voltaje Drenaje-Fuente: 100V (algunas fuentes mencionan hasta 115V de ruptura).
- Corriente de Drenaje Continua: 120A (límite del encapsulado) a 172A (límite del silicio) a 25°C.
- Resistencia en Conducción: Típicamente 3.6 mΩ (máximo 4.5 mΩ) a un voltaje de compuerta de 10V.
- Voltaje de Umbral de Compuerta : Entre 2V y 4V.
- Disipación de Potencia Máxima : 227W.
- Encapsulado: TO-220 (montaje a través de orificio/Through-hole)
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