C2D05120A Diodo Rectificador De Barrera Schottky

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El C2D05120A es un diodo rectificador de barrera Schottky de carburo de silicio (SiC),  diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta frecuencia, con capacidad para 1200 V y 5 A.

Características Principales
  • Corriente de Recuperación Inversa Cero (Zero Reverse Recovery Current): Al ser un diodo de portadores mayoritarios (tecnología Schottky de SiC), no presenta carga de recuperación inversa (Qc), lo que elimina esencialmente las pérdidas de conmutación.
  • Voltaje de Recuperación Directa Cero: Característica que contribuye a la alta eficiencia operativa.
  • Conmutación Extremadamente Rápida: Ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
  • Comportamiento de Conmutación Independiente de la Temperatura: Facilita el diseño de circuitos robustos y predecibles.
  • Mayor Eficiencia y Menores Requerimientos de Disipación: Permite la reducción del tamaño del disipador de calor requerido en comparación con los diodos de silicio estándar. 

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Datasheet

Descripción

El C2D05120A es un diodo rectificador de barrera Schottky de carburo de silicio (SiC) C2D05120AC2D05120A, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta frecuencia, con capacidad para 1200 V y 5 A.

Especificaciones Clave
  • Tensión Inversa Repetitiva de Pico (Vrrm): 1200 V.
  • Corriente Continua Máxima Directa (If): 5 A a Tc = 157°C; 17.5 A a Tc = 25°C.
  • Configuración: Diodo único (Single).
  • Encapsulado: TO-220-2 (Tecnología de Orificio Pasante – THT).
  • Potencia de Disipación (Ptot): 136 W a Tc = 25°C.
  • Caída de Tensión Directa Típica (Vf): 1.6 V a 5 A y 25°C; 2.6 V a 5 A y 175°C.
  • Corriente Inversa Máxima (Ir):C 200 µA a 1200 V y 25°C.
  • Temperatura Máxima de Unión (Tvjm): 175°C.

Información adicional

Tensión Inversa Repetitiva de Pico

1200 V

Corriente Continua Máxima Directa

5 A a Tc = 157°C; 17.5 A a Tc = 25°C.

Configuración

Diodo único (Single)

Encapsulado

TO-220-2

Potencia de Disipación

136 W a Tc = 25°C.

Caída de Tensión Directa Típica

1.6 V a 5 A y 25°C; 2.6 V a 5 A y 175°C.

Corriente Inversa Máxima

 C200 µA a 1200 V y 25°C.

Temperatura Máxima de Unión

175°C.

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