El BSS123 es un transistor MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de baja potencia y pequeña señal que requieren un alto voltaje de drenaje (hasta 100V).
| Voltaje Drenaje-Fuente | 100 | Voltios (V) |
| Corriente de Drenaje Continua | 150 a 170 | Miliamperios (mA) |
| Voltaje Umbral de Puerta (Encendido) | 0.8 a 2.0 (típico 1.7) | Voltios (V) |
| Resistencia en Encendido | 5.0 a 6.0 | Ohmios |
| Voltaje Puerta-Fuente Máximo |
20
|
Voltios (V) |
| Carga de Puerta Total | 1.8 a 2.1 | Nanoculombios (nC) |
| Disipación de Potencia | 300 a 350 | Milivatios (mW) |
| Encapsulado | SOT-23 (SMD) |
20
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