BSP89 Transistor Mosfet

$ 8.500

9 disponibles

El BSP89 es un transistor MOSFET de potencia de canal N y nivel lógico,. Utiliza tecnología vertical D-MOS y está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en dispositivos de montaje superficial (SMD).

Voltaje Drenaje-Fuente  240 V
Corriente de Drenaje Continua  375 mA
Resistencia en Conducción  5Ohm  a 6Ohm
Voltaje de Umbral de Puerta  0.8 V a 2.0 V
Disipación de Potencia Máxima  1.5 W a 1.7 W
Encapsulado SOT-223
Temperatura de Operación  -55 °C a +150 °C

9 disponibles

SKU: 43000 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El BSP89 es un transistor MOSFET de potencia de canal N y nivel lógico,. Utiliza tecnología vertical D-MOS y está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en dispositivos de montaje superficial (SMD).

Características y Aplicaciones
  • Interfaz Lógica Directa: Su bajo voltaje de umbral permite que se active directamente desde circuitos TTL o CMOS sin necesidad de etapas de amplificación adicionales.
  • Velocidad: Ofrece una conmutación muy rápida, con tiempos de encendido típicos de 5 ns y apagado de 30 ns.
  • Uso en Telecomunicaciones: Está específicamente diseñado para interruptores de corriente de línea en teléfonos y controladores de transformadores de línea.
  • Otras Aplicaciones: Gestión de energía, controladores de relés y periféricos de computadora.

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente 

240 V

Corriente de Drenaje Continua 

375 mA 

Resistencia en Conducción 

5Ohm  a 6Ohm

Voltaje de Umbral de Puerta 

0.8 V a 2.0 V

Disipación de Potencia Máxima 

1.5 W a 1.7 W

Encapsulado

SOT-223

Temperatura de Operación 

-55 °C a +150 °C

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