El BSH103 es un transistor MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento, fabricado con tecnología TrenchMOS. Es conocido por su voltaje umbral extremadamente bajo, lo que permite activarlo directamente con señales de niveles lógicos muy bajos (como CMOS y TTL) en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y gestión de energía.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 30 | Voltios (V) |
| Corriente Continua de Drenaje | 850 | Miliamperios (mA) |
| Resistencia en Encendido | 0.4 a 0.6 (típico) | Ohmios |
| Voltaje Umbral de Puerta | 0.4 (mín) a 1.5 (máx) | Voltios (V) |
| Voltaje Puerta-Fuente Máximo |
8
|
Voltios (V) |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 a 750 | Milivatios (mW) |
| Carga de Puerta Total | 2.1 | Nanoculombios (nC) |
| Encapsulado | SOT-23 (TO-236AB) | SMD |
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