El BS62LV256TC-70 es un circuito integrado de memoria RAM estática (SRAM) CMOS de alto rendimiento y muy bajo consumo de energía. Está organizada internamente como 32,768 palabras por 8 bits (32K x 8 bits), lo que equivale a una capacidad total de 256 Kilobits (Kb).
Caracteristicas Técnicas Principales:
- Capacidad y Organización: 32K x 8 bits (256 Kb de memoria total).
- Tiempo de Acceso (-70): 70 nanosegundos (ns) como máximo, lo que indica la velocidad de respuesta para leer o escribir datos.
- Voltaje de Operación Amplio (LV): Funciona en un rango de 2.4V a 5.5V, ideal tanto para sistemas de baja tensión (3.3V) como estándar (5V).
- Consumo de Corriente Operacional:
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- Máximo de 25 mA a 3.0V.
- Máximo de 40 mA a 5.0V.
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- Consumo en Modo Espera (Standby): Extremadamente bajo, con un valor típico de 0.01 µA a 3.0V.
- Retención de Datos: Capaz de mantener la información almacenada con un voltaje de batería tan bajo como 1.5V.
- Encapsulado (TC): Formato TSOP de 28 pines (estándar normal de 8mm x 13.4mm), de montaje superficial.
- Rango de Temperatura (C): Grado comercial, diseñado para operar entre 0 °C y +70 °C.
- Compatibilidad: Entradas y salidas compatibles con tecnología TTL y salidas de tres estados (High-Z) para fácil expansión en buses de datos.
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