El BLF175 es un transistor de potencia de RF (Radiofrecuencia) de canal N tipo D-MOS de modo de enriquecimiento vertical, diseñado originalmente por Philips Semiconductors . Está fabricado específicamente para operar en aplicaciones de amplificación de señales grandes en el rango de frecuencias HF y VHF (hasta 108 MHz de forma óptima, con respuestas en rangos extendidos).
Especificaciones Técnicas Clave
- Tecnología: Transistor MOS de potencia para HF/VHF.
- Potencia de Salida Nominal: 30 W a una frecuencia de 108 MHz.
- Voltaje Máximo Drenador-Fuente: Hasta 125 V de corriente continua.
- Voltaje de Operación Nominal: 50 V típicos en circuitos de amplificación.
- Corriente Continua de Drenaje: Máximo 4 A.
- Disipación de Potencia Total: Hasta 68 W con temperatura en la base de montaje
- Ganancia de Potencia: Típicamente de 20 dB operando a 50 V, 108 MHz
- Eficiencia del Drenador: Típica del 65% al 70% en pruebas de señal continua.
- Encapsulado: Formato SOT123A con pestañas de brida (Flange) y tapa cerámica de 4 terminales aislados magnética y eléctricamente de la base.
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