BC847BS,135 Transistor Bipolar

$ 9.000

10 disponibles

El BC847BS,135 es un arreglo dual de transistores bipolares de unión (BJT) de propósito general NPN. Está diseñado y fabricado de manera principal por Nexperia. 
Pertenece a la categoría principal de Semiconductores Discretos, clasificado específicamente como un Arreglo de Transistores Bipolares (Dos transistores NPN independientes en el mismo chip). El código final ,135 es una especificación comercial del fabricante que indica que el componente se distribuye empacado en Cinta y Carrete plástico de 7 pulgadas (Tape & Reel).
⚙️ Características Técnicas Principales:

Parámetro Especificación Técnica
Configuración Dual NPN (Dos transistores NPN idénticos y totalmente aislados internamente)
Voltaje Colector-Emisor  45 V máximo
Corriente de Colector Continua  100 mA máximo
Ganancia de Corriente Directa De 200 a 450 (Clasificación de ganancia tipo «B»)
Potencia de Disipación Máxima  300 mW en total para el encapsulado
Encapsulado SOT-363 (TSSOP-6 o SC-88) ultra pequeño de montaje superficial

10 disponibles

SKU: 118015 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El BC847BS,135 es un arreglo dual de transistores bipolares de unión (BJT) de propósito general NPN. Está diseñado y fabricado de manera principal por Nexperia. 
Pertenece a la categoría principal de Semiconductores Discretos, clasificado específicamente como un Arreglo de Transistores Bipolares (Dos transistores NPN independientes en el mismo chip). El código final ,135 es una especificación comercial del fabricante que indica que el componente se distribuye empacado en Cinta y Carrete plástico de 7 pulgadas (Tape & Reel).
🛠️ Usos Comunes:
Al empacar dos transistores NPN idénticos en un espacio milimétrico, se reducen costos de fabricación y el tamaño final de la tarjeta de circuito impreso (PCB). Se utiliza comúnmente en:
  • Circuitos de amplificación de audio: Etapas de ganancia inicial o preamplificadores de señal pequeña.
  • Espejos de corriente y amplificadores diferenciales: Al estar en la misma pastilla de silicio, ambos transistores se calientan al mismo tiempo, manteniendo un comportamiento térmico y de ganancia altamente simétrico.
  • Conmutación general: Driver para encendido de relevadores pequeños, pantallas de señalización o líneas de datos.

Información adicional

Configuración

Dual NPN

Voltaje Colector-Emisor 

45 V

Corriente de Colector Continua 

100 mA

Ganancia de Corriente Directa

De 200 a 450

Potencia de Disipación Máxima 

300 mW

Encapsulado

SOT-363

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