BC847BPN Transistor Bipolar

$ 10.000

20 disponibles

El BC847BPN es un par de transistores bipolares (BJT) complementarios (un NPN y un PNP) integrados en un único encapsulado plástico de montaje en superficie (SMD) extremadamente pequeño. Está diseñado de manera que ambos transistores están aislados eléctricamente entre sí, eliminando la interferencia mutua.

Características técnicas principales:
  • Polaridad: 1 Transistor NPN + 1 Transistor PNP.
  • Voltaje Colector-Emisor: 45 V máximo.
  • Voltaje Colector-Base: 50 V máximo.
  • Voltaje Emisor-Base: 5 V máximo.
  • Corriente de Colector: 100 mA máximo.
  • Corriente de Colector Pico: 200 mA.
  • Ganancia de Corriente Continua: Entre 200 y 450 (clasificación de ganancia «B»).
  • Frecuencia de Transición: 100 MHz.
  • Disipación de Potencia Total: 220 mW por transistor / 300 mW por dispositivo completo.
  • Temperatura de Operación: -65 °C a +150 °C.
  • Tipo de Encapsulado: SOT363 (también conocido como SC-88 o TSSOP-6) de 6 pines.

20 disponibles

SKU: 118004 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El BC847BPN es un par de transistores bipolares (BJT) complementarios (un NPN y un PNP) integrados en un único encapsulado plástico de montaje en superficie (SMD) extremadamente pequeño. Está diseñado de manera que ambos transistores están aislados eléctricamente entre sí, eliminando la interferencia mutua.

Usos comunes:
Este componente es ideal para aplicaciones con alta limitación de espacio en placas de circuito: 
  • Conmutación general: Control de pequeñas cargas, compuertas lógicas simples o activación de señales.
  • Amplificación de uso general: Circuitos de audio de baja potencia o etapas preamplificadoras de señal.
  • Dispositivos portátiles: Computadoras de mano, PDAs, wearables y equipos electrónicos de consumo miniatura.
  • Reducción de componentes: Ideal para reemplazar dos transistores individuales (uno NPN y uno PNP), optimizando el diseño del circuito.

Información adicional

Polaridad

1 Transistor NPN + 1 Transistor PNP

Voltaje Colector-Emisor

45 V máximo

Voltaje Colector-Base

50 V máximo.

Voltaje Emisor-Base

5 V máximo

Corriente de Colector

100 mA máximo

Corriente de Colector Pico

200 mA

Ganancia de Corriente Continua

Entre 200 y 450

Frecuencia de Transición

100 MHz

Disipación de Potencia Total

220 mW por transistor / 300 mW por dispositivo completo.

Temperatura de Operación

-65 °C a +150 °C.

Tipo de Encapsulado

SOT363

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “BC847BPN Transistor Bipolar”

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Título

Ir a Arriba