El APT5010JN es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje Está diseñado para aplicaciones de alta potencia y conmutación eficiente. Ofrece un excelente rendimiento térmico y una alta capacidad de disipación de potencia (hasta 520 W).
APT5010JN MOSFET
$ 73.000
6 disponibles
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Datasheet
Descripción
El APT5010JN es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje Está diseñado para aplicaciones de alta potencia y conmutación eficiente. Ofrece un excelente rendimiento térmico y una alta capacidad de disipación de potencia (hasta 520 W).
Información adicional
| Voltaje drenaje-fuente | 500 V |
|---|---|
| Corriente continua de drenaje | 48 A |
| Resistencia en encendido | 0.10 Ω |
| Encapsulado | SOT-227 / ISOTOP |
Valoraciones
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