AO4482 Transistor Mosfet

$ 6.500

20 disponibles

El AO4482 es un transistor MOSFET de canal N de alta eficiencia. Utiliza tecnología de trinchera avanzada para ofrecer una resistencia en encendido extremadamente baja, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de potencia y gestión de energía.

Voltaje Drenaje-Fuente:  100 V

Corriente de Drenaje Continua:6 A (a 25°C).

Resistencia en Encendido:< 37m con un voltaje de puerta de 10V.
< 42 m con un voltaje de puerta de 4.5V.

Voltaje Umbral de Puerta: 2.7 V

Disipación de Potencia: 3.1 W

Encapsulado:SOIC-8

20 disponibles

SKU: 28003 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El AO4482 es un transistor MOSFET de canal N de alta eficiencia. Utiliza tecnología de trinchera avanzada para ofrecer una resistencia en encendido extremadamente baja, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de potencia y gestión de energía.

 

Información adicional

Voltaje Drenaje-Fuente

100 V

Corriente de Drenaje Continua

6 A

Resistencia en Encendido

< 37m con un voltaje de puerta de 10V.
< 42 m con un voltaje de puerta de 4.5V.

Voltaje Umbral de Puerta

2.7 V

Disipación de Potencia

3.1 W

Encapsulado:

SOIC-8

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “AO4482 Transistor Mosfet”

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Título

Ir a Arriba