El transistor MOSFET 2SK3667, fabricado principalmente por Toshiba, es un transistor de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como reguladores conmutados y fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
| Tensión Drenaje-Fuente (Vdss) | — | 600 V | V |
| Corriente de Drenaje Continua (Id) | — | 7.5 A (a Tc=25°C) | A |
| Resistencia en Estado Conducido Rds(on) | 0.75 Ω | 1.0 Ω (Máx) | Ω |
| Tensión de Umbral de Puerta Vgs(th) | 3.0 V (típico) | 4.0 V (máximo) | V |
| Disipación de Potencia Total (Pd) | — | 45 W (a Tc=25°C) | W |
| Tensión Puerta-Fuente (Vgs) | — | ±30 V | V |
| Encapsulado | TO-220F (montaje a través de orificio, aislado) |
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