El 2SK3502 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado principalmente por Fuji Electric e Inchange Semiconductor (ISC) para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Es un componente de silicio con capacidad para manejar altos voltajes y corrientes.
| Voltaje Drenaje-Fuente | 600V | ||
| Corriente de Drenaje Continua | 10A (Fuji), 12 (ISC) | ||
| Corriente de Drenaje Pulsada | 48A | ||
| Voltaje Compuerta-Fuente | ±30V | ||
| Resistencia Drenaje-Fuente en estado ON | 0.75 (Máx) |
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| Disipación de Potencia Total | 50W | ||
| Rango de Temperatura de Operación | -55 a 150°C | ||
| Encapsulado | TO-220F (aislado) | ||
| Tipo de Canal | N-Channel |
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