El 2SK2777 es un transistor MOSFET de potencia de canal N de la serie -MOS V de Toshiba, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta corriente.
- Voltaje Drenaje-Fuente : 600 V.
- Corriente de Drenaje Continua : 6 A.
- Corriente de Drenaje Pulsada: 24 A.
- Resistencia en Encendido: 1.25 (típico 0.9 ).
- Disipación de Potencia Total: 65 W (a).
- Voltaje Umbral de Puerta :2.0 a 4.0 V.
- Encapsulado: Comúnmente en TO-220FL (aislado) o TO-263 (D2PAK para montaje superficial)
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