El 2SK2225 es un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) de potencia de canal N diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de alto voltaje, fabricado por Renesas (anteriormente Hitachi).
| oltaje Drenador-Fuente (VDS) | 1500 V | |
| Corriente de Drenaje Continua (ID) | 2 A a Ta=25°C | |
| Corriente de Pico de Drenaje (ID(pulse)) | 7 A | |
| Disipación de Potencia (Pch) | 50 W a Tc=25°C | |
| Resistencia en Estado Activo (RDS(ON)) | Típ. 12 Ω @ 1A, VGS=15V | |
| Voltaje Umbral de Puerta (Vgs(th)) | Mín. 2.0 V, Máx. 4.0 V | |
| Voltaje Puerta-Fuente Máximo (VGSS) | ±20 V | |
| Encapsulado | TO-3PF / TO-3PFM | |
| Tecnología | MOSFET de canal N de silicio |
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