El 2SK1120 es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia de canal N. Está diseñado principalmente para aplicaciones de alta velocidad y alta corriente, como fuentes de alimentación conmutadas (DC-DC) y control de motores industriales.
Especificaciones Técnicas Principales
- Voltaje Drenaje-Fuente: Máximo de 1000 V.
- Corriente de Drenaje Continua: Hasta 8 A
- Corriente de Drenaje Pulsada: Hasta 24 A.
- Resistencia en Conducción : Típicamente 1.5
- Disipación de Potencia: Máximo 150 W.
- Encapsulado común: TO-3P o TO-3PN.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.