2SJ601-Z Transistor Mosfet

$ 16.000

20 disponibles

El transistor MOSFET 2SJ601-Z (también referido como J601) es un transistor de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como controladores de motores y fuentes de alimentación. Destaca por su baja resistencia de encendido y alta fiabilidad.

Polaridad Canal P
Voltaje Drenaje-Fuente (Vdss) -60 V
Corriente de Drenaje (Id) -36 A
Voltaje Puerta-Fuente (Vgss) ±20 V
Resistencia de Encendido (RDS(on)) 31 mΩ máx. (a VGS = -10 V, ID = -18 A)
Disipación de Potencia (Pd) 65 W (a Tc=25°C)
Capacitancia de Entrada (Ciss) 3300 pF (típico)
Encapsulado TO-251 / TO-252 (SMD/Montaje superficial)
Modo de Operación Modo de mejora (Enhancement mode)

20 disponibles

SKU: 25003 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El transistor MOSFET 2SJ601-Z (también referido como J601) es un transistor de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como controladores de motores y fuentes de alimentación. Destaca por su baja resistencia de encendido y alta fiabilidad.

El 2SJ601-Z es adecuado para una variedad de aplicaciones industriales y de consumo que requieren un control de potencia eficiente:
  • Controladores de solenoides, motores y lámparas.
  • Circuitos de fuentes de alimentación conmutadas (DC-DC converters).
  • Conmutación de carga de lado alto (high-side load switching).
  • Amplificadores de audio.

Información adicional

Polaridad

Canal P

Voltaje Drenaje-Fuente

-60 V

Corriente de Drenaje

-36 A

Voltaje Puerta-Fuente

±20 V

Resistencia de Encendido

31 mΩ máx

Disipación de Potencia

65 W

Capacitancia de Entrada

3300 pF

Encapsulado

TO-251 / TO-252

Modo de Operación

Modo de mejora (Enhancement mode)

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