2SJ526 Transistor Mosfet

$ 5.000

20 disponibles

 

El MOSFET 2SJ526 de Renesas (anteriormente Hitachi) es un transistor de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, y que puede ser accionado directamente por fuentes de 4 V.

Tensión Drenaje-Fuente (Vdss) — –60 V
Corriente de Drenaje Continua (Id) — –12 A (a Tc=25°C)
Resistencia en Estado Conducido Rds(on) 0.11 Ω (típico) 0.15 Ω (máximo)
Tensión de Umbral de Puerta Vgs(off) –1.0 V (mínimo) –2.0 V (máximo)
Tensión Puerta-Fuente (Vgs) — ±16 V
Encapsulado TO-220 –

20 disponibles

SKU: 25001 Categorías: ,

Datasheet

Descripción

El MOSFET 2SJ526 de Renesas (anteriormente Hitachi) es un transistor de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como fuentes de alimentación conmutadas, y que puede ser accionado directamente por fuentes de 4 V.

Este MOSFET es adecuado para diversas aplicaciones de potencia, especialmente aquellas que requieren un accionamiento de puerta (gate) de bajo voltaje y alta velocidad de conmutación:
  • Fuentes de alimentación conmutadas de alta velocidad
  • Interruptores de potencia
  • Aplicaciones que requieren un bajo consumo de corriente de accionamiento

Información adicional

Tensión Drenaje-Fuente

–60 V

Corriente de Drenaje Continua

–12 A

Resistencia en Estado Conducido

0.11 Ω . 0.15 Ω

Tensión de Umbral de Puerta

–1.0 V. –2.0 V

Tensión Puerta-Fuente

±16 V

Encapsulado

TO-220

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Sé el primero en valorar “2SJ526 Transistor Mosfet”

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Título

Ir a Arriba