El 2SC5570 es un transistor de potencia NPN de silicio de tipo «triple diffused mesa» fabricado por Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje.
2SC5570 Transistor De Potencia
$ 16.500
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Datasheet
Descripción
El 2SC5570 es un transistor de potencia NPN de silicio de tipo «triple diffused mesa» fabricado por Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje.
| Tipo de Transistor | NPN, bipolar, de silicio, tipo mesa difusa triple | |
| Voltaje Colector-Base (Vcbo) | 1700 V | |
| Voltaje Colector-Emisor (Vceo) | 800 V | |
| Voltaje Emisor-Base (Vebo) | 5 V | |
| Corriente de Colector (Ic) | 28 A (continua) | |
| Disipación de Potencia (Pc) | 220 W (a Tc=25°C) | |
| Ganancia de Corriente DC (hFE) | 12.5 a 25 (para Ic=8 A, Vce=5 V) | |
| Velocidad de Conmutación | Alta velocidad (tiempo de caída tf = 0.1 µs típico) | |
| Encapsulado | TO-3PL o 2-21F2A (tipo orificio pasante / through-hole) |
Información adicional
| Tipo de Transistor | NPN |
|---|---|
| Voltaje Colector-Base | 1700 V |
| Voltaje Colector-Emisor | 800 V |
| Voltaje Emisor-Base | 5 V |
| Corriente de Colector | 28 A |
| Disipación de Potencia | 220W |
| Ganancia de Corriente | 12.5 a 25 |
| Velocidad de Conmutación | Alta velocidad |
| Encapsulado | TO-3PL o 2-21F2A |
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