El 2N7002 es un transistor MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento, ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de baja potencia y pequeña señal. Es conocido por su baja tensión de umbral, lo que lo hace ideal para ser activado directamente por niveles lógicos de microcontroladores (como 3.3V o 5V).
| Voltaje Drenaje-Fuente | 60V | |
| Voltaje Puerta-Fuente | +/- 20V | |
| Corriente Continua de Drenaje | 115 a 300(mA) | |
| Corriente de Drenaje Pulsada | 800 mA | |
| Resistencia en Encendido (RDS on) | 1.2 a 5.0 Ohm | |
| Voltaje Umbral de Puerta (VGS th) | 1.0 a 2.5V | |
| Disipación de Potencia | 200 a 350 mW | |
| Capacitancia de Entrada | 20 a 50 pF | |
| Tiempo de Encendido | 5 a 15 ns | |
| Temperatura de Trabajo | -55 a 150°C |
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